• 已选条件：
  • × 电子与电气工程
  • × DURABILITY
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1 Yearlong 500 °C Operational Demonstration of Up-Scaled 4H-SiC JFET Integrated Circuits [科技报告]

作者:Neudeck, Philip G;Spry, David J;Krasowski, Michael J;等

发布日期:2018

关键词:CHIPS (MEMORY DEVICES);DESIGN ANALYSIS;...

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2 Graphical Primer of NASA Glenn SiC JFET Integrated Circuit (IC) Version 12 Layout [科技报告]

作者:Neudeck, Philip, Spry, David

发布日期:2019

关键词:CHIPS;DURABILITY;...

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